Что такое напряжение dram

CPU PLL Voltage, DRAM Voltage, NB Voltage Control — что это за параметры в биосе?

Приветствую. Разгонять процессор/оперативку нужно грамотно: осторожно повышать напряжение, следить за температурой, уметь тестировать систему LinX, мониторить показатели AIDA64.

Немаловажно знать значение многих параметров в биосе для максимально эффективного и безопасного разгона.

CPU PLL Voltage — что это такое?

Напряжение питания системы Phase Locked Loop (PLL) или по-русски система фазовой авто-подстройки частоты (ФАПЧ), которая необходима только для повышения стабильности работы разогнанных процессоров. Незначительное повышение значения может улучшить стабильность разгона, иногда — ухудшить. В большинстве случаев — достаточно минимальной напруги либо авторежим. Хотя некоторые задирают напругу, один юзер аж до 1.95v выставил.. как понимаете — на свой страх и риск.

Параметр в биосе материнки AsRock:

На скриншоте выше значение увеличено.

DRAM Voltage — что это такое?

Указывается напряжение модулей оперативки. Обычным планкам необходимо штатных 1.5 В либо режим Auto. Данная опция также может называться DIMM Voltage, VDIMM, Memory Voltage, зависит от модели материнки.

Опция в биосе Asus:

NB Voltage Control — что это такое?

Отвечает за напряжение северного моста (чип на плате, часто охлаждается специальным радиатором). Возможные значения: Low, Middle, High, Highest (Низкое, Среднее, Высокое, Высочайшее напряжение). NB расшифровывается как North Bridge.

На заметку: шина FSB жестко привязана к NB Voltage.

Опция NB Voltage Control в биосе:

Повторюсь — диапазон значений зависит от конкретной материнской платы.

Заключение

Мы рассмотрели некоторые параметры разгона.

Помните, разгоняя железо вы теоритически уменьшаете срок службы. Поэтому: при разгоне нужен качественный блок питания (советую Seasonic, FPS), водяное охлаждение, не помешают дополнительный кулер на цепях питания процессора (мосфеты, дроссели).

Источник

DRAM Voltage

Другие идентичные по назначению параметры: Adjust Extra DIMM Voltage, DDR SDRAM Voltage, Memory Voltage Regulator, VDIMM Voltage.

Опция DRAM Voltage (Напряжение модулей оперативной памяти) позволяет пользователю вручную установить величину одного из основных рабочих параметров модулей оперативной памяти. Значение напряжения в данной опции указывается в вольтах. В опции нередко можно встретить также вариант Auto, Normal или Default, который позволяет установить значение параметра по умолчанию. Также опция может носить и другие названия, например, Memory Voltage.

Принцип работы

Обычно модули оперативной памяти питаются током, имеющим определенное стандартное напряжение, величина которого зависит от типа и технологии изготовления модулей. Например, модули SDRAM в обычных условиях должны питаться током в 3,3 В, модули DDR – 2,5 В, модули DDR2 – 1,8 В, а модули DDR3 – 1,5 В. В последние годы были разработаны стандарты с еще более низким напряжением – DDR3L и DDR3U. Для модулей памяти, соответствующих первой спецификации, данная величина составляет 1,35 В, а для соответствующих второй – 1,25 В. Таким образом, хорошо заметна тенденция к уменьшению питающего напряжения в зависимости от усовершенствования технологии изготовления модулей памяти. Причину подобного явления легко понять, если учитывать, что снижение напряжения микросхем памяти позволяет уменьшить энергопотребление и тепловыделение памяти.

Хотя в большинстве случаев BIOS автоматически устанавливает нужное напряжение модулей, тем не менее, во многих BIOS пользователю может быть предоставлена возможность изменить значение данного параметра самостоятельно. Для этого и предназначена опция BIOS DRAM Voltage или Memory Voltage.

Какие же цели может преследовать увеличение штатного значения напряжения модулей памяти? Прежде всего, данная операция может применяться в ходе мероприятий по разгону аппаратных компонентов компьютера. Повышенное напряжение стабилизирует работу памяти при повышении частоты шины памяти, при этом обеспечивая приемлемые значения таймингов (задержек выполнения стандартных операций).

Способы выбора вариантов в опции могут варьироваться в зависимости от разновидности BIOS. Часто в опции пользователю предоставляется возможность повысить напряжение на небольшую величину (обычно до 0,3 В) с определенным шагом, например, в 0,1 В. Иногда пользователь может выбрать необходимое значение из списка. Также некоторые BIOS позволяют ввести необходимое число напрямую в текстовом поле. В качестве значения опции пользователь обычно может выбрать также вариант Normal или Automatic (Auto), который означает, что будет использоваться стандартное напряжение для той разновидности памяти, которую поддерживает материнская плата.

Обычно опцию DRAM Voltage можно найти в разделе BIOS, посвященном тонким настройкам производительности системы, где располагаются также такие параметры, как частоты процессора и памяти, напряжения процессора и элементов чипсета. Например, в BIOS от Award данный раздел может называться Motherboard Intelligent Tweaker, а в BIOS от American Megatrends – AI Tweaker.

Следует иметь в виду, что далеко не все материнские платы персональных компьютеров позволяют пользователю менять рабочее напряжение оперативной памяти. Однако это не всегда означает, что в BIOS подобных материнских плат отсутствует данная опция. В некоторых разновидностях опции она имеет лишь информационное значение, показывающее пользователю реальное текущее значение напряжения. Располагаются опции подобного рода в разделе BIOS, посвященном мониторингу параметров аппаратных компонентов персонального компьютера.

Какое значение опции выбрать?

Если вы не занимаетесь разгоном оперативной памяти компьютера, то лучше всего оставить значение по умолчанию, подходящее для вашего типа памяти, поскольку оно гарантирует бесперебойное функционирование аппаратной части компьютера. В противном случае вы можете установить самостоятельно необходимое вам значение. При этом следует помнить, что чрезмерное повышение напряжения модулей памяти, особенно тех, которые специально не предназначены для разгона, может привести к выходу модулей из строя. Кроме того, повышенное напряжение обычно приводит к перегреву модулей, а это, в свою очередь, потребует от вас позаботиться о дополнительном охлаждении системного блока.

Источник

Как разогнать оперативную память и зачем это делать

Содержание

Содержание

После установки оперативная память работает на минимальной частоте. Купив планку ОЗУ с тактовой частотой 2400 МГц, можно с удивлением обнаружить, что она функционирует на 1600 МГц.

Зачем добиваться максимальной производительности оперативной памяти

Чем больше МГц, тем выше пропускная способность чтения и записи, больше операций выполняется за одну секунду. Архивация файлов с помощью WinRAR происходит на 40% быстрее. В этом обзоре наглядно показано, как влияет разгон Kingston HyperX FURY на скорость обработки информации.

Чтобы сэкономить себе время на поиски оптимального тайминга, можно воспользоваться программой «Drum Calculator for ryzen». ОЗУ, работающая с минимальным таймингом и максимальной частой, больше нагружает процессор, что отражается на количестве FPS в играх. Пример использования калькулятора и удачного разгона здесь.

А здесь можно посмотреть детальное и полномасштабное тестирование изменения частот и таймингов с приростом 6–14 FPS.

Совместимость

Оперативная память работает на частоте самого медленного модуля. Если установлено несколько планок разных производителей или серий, может возникнуть конфликт совместимости, тогда операционная система не запустится.

Чтобы выжать из железа максимум, надо устанавливать модули памяти из одной серии. В этом обзоре показана разница между двухканальным и одноканальным режимом работы ОЗУ.

В двухканальном режиме необходимо устанавливать планку через один слот. Тут продемонстрирована комплексная работа планок оперативки из одной серии.

Правила разгона

Не все материнские платы поддерживают разгон. Китайские «ноунеймы» в особенности любят блокировать возможность увеличить производительность вручную, оставляя только автоматическое поднятие частот.

Turbo Boost — это всегда разгон в щадящем режиме, протестированный производителем и максимально безопасный. Чтобы получить производительности на 5–10% больше, потребуется поработать ручками. Контроллер памяти процессора не даст разогнать оперативную память выше собственных параметров частоты.

Спасительная кнопка отката

Вывести из строя оперативную память, меняя частоту — невозможно. Со слишком высокими параметрами ПК просто не запустится. Если после нескольких загрузок все еще появляется «синий экран смерти», необходимо сбросить настройки на заводские параметры. Делается это с помощью перемычки «CLR CMOS», на некоторых материнках он подписан, как «JBAT».

Настройка частоты и тайминги памяти

Есть два способа разгона — автоматический и ручной. Первый вариант безопасен, второй позволяет добиться большей производительности, но есть риск сбоя ОС и физического повреждения ОЗУ. Для увеличения частоты оперативной памяти используется BIOS.

Автоматическая настройка

Специальное программное обеспечение «Extreme Memory Profiles» для процессоров Intel позволяет быстро настроить уже готовые профили разгона. У фанатов AMD есть свой софт от MSI. Применяя автоматические настройки, мы получаем оптимальные параметры задержки.

Разгон серверной ОЗУ

Рассмотрим автонастройки частоты на примере материнской платы x79 LGA2011 с процессором Intel Xeon E5-2689. Серверная оперативная память — 2 планки Samsung по 16 Gb с частотой 1333 MHz, работающие в двухканальном режиме, тайминг — 9-9-9-24.

Путь к разгону лежит через BIOS, вкладка «Chipset», раздел «Northbridge» — параметры северного моста.

Выбираем настройку «DDR Speed». Параметр «Auto» меняем на «Force DDDR3 1600». Сохраняем, перезагружаемся. Запускаем тест в программе AIDA 64, выбрав в меню «Сервис» задачу «Тест кэша и памяти», затем жмем «Start Benchmark».

В синтетическом тесте скорость чтения, записи и копирования увеличилась почти на 20%. «Memory Bus» поднялся до 800 MHz, тайминг — 11-11-11-28.

Возвращаемся в BIOS, ставим «Force DDDR3 1866».

При таких настройках прирост производительности достигает 39%. Процессор разогнался автоматически с 2600 MHz до 3292,5 MHz, прирост CPU составил 26%, параметры тайминга — 12-12-12-32.

Разгон с помощью профиля XMP от MSI

В современные планки ОЗУ устанавливается SPD-чип с предустановленными профилями разгона, позволяя увеличивать частоту до 3200 MHz. Для разгона такой оперативки выбираем функцию «XMP» в BIOS.

Опускаемся вниз, не трогая остальные настройки, указываем «Профиль 1». Сохраняем изменения, тестируем в Benchmark.

Ручная настройка

Включаем компьютер. Для перехода в BIOS нажимаем клавишу «F1» или «Delete» — в зависимости от материнки. Переходим в раздел, отвечающий за центральный процессор и оперативную память, ищем строку с параметром частоты ОЗУ.

Если в BIOS есть пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)», нажимаем «Ctrl + F1» в главном меню — должна появиться еще одна категория с настройками. В ней находим строку «System Memory Multiplier».

Если пункта M.I.T. нет, скорей всего, используется «AMI BIOS». Ищем вкладку «Advanced BIOS Features», переходим к параметру «Advanced DRAM Configuration».

Если установлен «UEFI BIOS», нажимаем «F7» — раздел «Advanced Mode», переходим к вкладке «Ai Tweaker», изменяем частоту, используя выпадающее меню «Memory Frequency».

Метод научного тыка

Теперь рассмотрим подробнее, как разогнать частоту, тайминг. Сразу «давить на газ» не стоит, параметр частоты увеличиваем плавно. Для сохранения нажимаем «F10», перезагружаемся и смотрим результаты с помощью теста Benchmark в AIDA 64 или в другой программе. Универсальных параметров разгона ОЗУ нет, данные ниже предоставлены для ориентира.

Параметр «System Memory Multiplier» позволяет разогнать ОЗУ, изменяя множитель. При изменении частоты, автоматически меняются и базовые тайминги.

Поиграв с вариациями частоты, переходим к нижней строчке «DRAM Timing Control», выставляем тайминги, переключившись с режима «Auto» на желаемые параметры.

Управление временем

Высокая частота и низкие тайминги позволяют увеличить производительность, высокие тайминги и высокая частота — снижают ее. Тайминги или задержка — это количество тактовых импульсов для выполнения операций ОЗУ. Уменьшаем значения с минимальным шагом — 0,5. Получив повышение показателей производительности, можно продолжить, снизив время отклика. Подбирать правильные настройки придется методом проб и ошибок.

Повысить производительность оперативки можно, увеличивая напряжение с помощью параметра «Voltage Setting», безопасно 1.2–1.35 В, максимум — 1.6 В. С этим пунктом стоит быть очень острожным, электричество — не игрушки, есть риск спалить ОЗУ и потерять гарантию.

Увеличение частоты оперативной памяти с помощью готовых профилей — самый простой и быстрый способ получить желаемую производительность. Вариант с ручными настройками больше подходит энтузиастам, для которых дополнительный прирост быстродействия на дополнительные 10–15% — дело принципа.

Источник

Вступление

реклама

Но многие ли из вас догадываются, что неправильный разгон оперативной памяти может лишь ухудшить работу ПК: приводить к сбоям в работе, вылетам, различным глюкам и зависаниям? Что перенапряжение может пагубно сказаться на работе оперативной памяти, и серьезно сократить ее жизненный цикл?

Данная статья будет ориентирована в первую очередь на новичков в разгоне DDR4 на Ryzen, которые просто хотят узнать, как стабильно и правильно разогнать оперативную память. Статья не имеет цели нагружать пользователя бесполезной для него информацией и терминологией. Будет произведен разгон, описана методика, высказаны основные принципы и практические советы. Далее мы произведем температурные замеры ОЗУ под двумя разными профилями разгона и наконец выясним реальный прирост производительности в играх от разгона оперативной памяти.

Подготовка к разгону оперативной памяти

реклама

Теперь, когда вы перестали следовать гайдам из YouTube, скачайте такие программы, как Thaiphoon Burner, TestMem5 и Ryzen DRAM calculator, если их у вас еще нет. Также настоятельно рекомендуется обзавестись Aida64 и Ryzen Timings Checker.

Далее если вы не уверены, какие у вас чипы памяти, запустите Thaiphoon Burner и проверьте, какими чипами памяти наделена ваша оперативная память. Также полезным будет узнать ранковость памяти и число установленных планок памяти, а также наличие XMP (предустановленного разгона). Все это можно узнать в данной утилите. Немаловажным является объем оперативной памяти. Чем он больше, тем сложнее ее разогнать, так как возрастает нагрузка на контроллер памяти в процессоре. Который, к слову, в Zen+ процессорах далеко не идеален.

реклама

На этом для вас весь подготовительный этап завершен. Да, я изначально обещал не вводить вас в терминологию и тонкости, но все это была основа основ, которая необходима для правильного разгона памяти на процессорах Ryzen.

Простой разгон оперативной памяти с чипами Micron E-die и доработка результатов

реклама

Итак, переходим непосредственно к самой простой и 100% рабочей методике разгона. Вы ведь уже скачали последнюю версию Ryzen DRAM calculator? Отлично, тогда переходим в него и начинаем заполнение программы своими данными.

Всю необходимую информацию мы уже узнали на подготовительном этапе, осталось лишь внести ее в калькулятор и нажать на кнопку «Calculate SAFE» (рекомендую именно этот режим, так как с ним справятся даже самые «тугие» модули).

Далее мы переносим данные значения в BIOS. Рекомендую значения напряжений выставлять чуть выше рекомендованных калькулятором. И в случае чего их снижать. Заполнять значения таймингов в BIOS следует крайне внимательно, чаще всего ошибки появляются из-за неверных значений таймингов. Поэтому для начала разберитесь со своим BIOS, узнайте названия таймингов и опций, потом начинайте вносить изменений.

После того, как вы перенесли все результаты калькулятора в BIOS, настоятельно рекомендуется сохранить эти результаты в отдельный профиль, чтобы в случае чего редактировать его и не переносить все значения калькулятора повторно. Также не лишним будет установить количество попыток повторной загрузки ПК в случае сбоя. В каждом BIOS этот пункт называется по-своему. Советую ставить это количество попыток на 1, максимум 2.

Итак, теперь приступаем к проверке оперативной памяти. Сначала мы проверяем наш разгон программой TestMem5. Если тест был пройден с ошибками, то мы приступаем к уже описанным методам «лечения». Если ошибок при тесте не было, то не лишним будет «прогнать» тест памяти в Aida64 или нагрузить память на несколько часов любой другой программой, и тем самым проверить стабильность. Если все прошло хорошо, то мы переходим к следующему этапу, если есть какие-то сбои и ошибки, то. Вы уже сами должны догадываться, что делать.

Теперь вы либо завершаете разгон, либо, если вам важен каждый FPS и вы хотите, чтобы ваша система выдавала максимум от возможной производительности, то следует приступить к более детальной оптимизации оперативной памяти и «доработке» разгона. После чего следует опять все проверить. И, самое главное сравнивать результаты именно в тех задачах, ради которых вы разгоняете память.

О доработке результатов я могу лишь дать вам практические советы, но не четкую инструкцию к действиям, что будет даже правильней, потому что вся память уникальна и на достижение результатов выше, чем может выдать калькулятор, может повлиять личная удача энтузиаста.

Практические советы по ручному разгону памяти с чипами Micron E-die, основные принципы при регулировке напряжения и настройке таймингов

Итак, представляю вашему вниманию мой итоговый результат разгона после оптимизации и ручной «доработки». В зеленых рамочках выделены те значения, которые я выбрал в калькуляторе, а в красных рамочках находятся те результаты, которые я оптимизировал под свою память.

Итак, вот те принципы, которым я следовал, когда «ужимал» первичные и вторичные тайминги:

Итак, спустя почти 3 месяца изучения платформы AM4 и разгона памяти с процессором Zen+, я добился стабильного результата разгона.

Но все мои прошлые попытки разгона я, естественно, сохранял в отдельные профили в BIOS. Одно время я добился стабильного результата на частоте в 3400 с таймингами CL 14 при напряжении 1.45 вольта, но почему я отказался от такого разгона вы узнаете далее.

Итак, вот такие температурные показатели имеют модули при напряжении в 1.39 вольта. Быть может, реальная температура даже выше на пару градусов, но если их трогать рукой, то они реально горячие, но пальцы не обжигают.

Такие температурные показатели получились в открытом стенде при тестировании оперативной памяти программой TestMem5 в течение 8 минут.

Если для вас это кажется уже много и ваше представление о «холодной современной памяти» разрушилось, то даже не смотрите на результаты при напряжении в 1.45 вольт.

Удивлены? Если вы все-таки «кочегарите» память, то не лишним будет заняться обдувом модулей памяти. Но лучше не выходить за рамки 1.4 вольт для Micron E-die.

При этом сама память выдавала следующие результаты в AIDA64 Memory & Cache:

Тестирование влияния разгона памяти на производительность в играх

Но для начала прошу ознакомиться с тестовым стендом.

Тестовый стенд

Тестирование разгона модулей оперативной памяти CRUCIAL Ballistix BL2K16G30C15U4B 2×16Гб в игре Assassin’s Creed Odyssey проводилось на следующей конфигурации:

Тестирование

Игра тестировалась на следующих настройках графики. Стоит обратить внимание, что видеокарта GTX 1060 6Gb в некоторых местах загружалась на 100%, поэтому результаты выходят не совсем эталонными.

Прошу ознакомиться с результатами тестирования. Эффективность разгона оперативной памяти проверялась изменением значения 1% FPS.

Заключение

Надеюсь, что данная статья окажется полезной всем тем, кто только начал осваивать разгон памяти на Ryzen, или уже успел разочароваться в своих оверклокерских навыках, до конца не разобравшись в специфике разгона ОЗУ на AM4.

В заключении стоит еще раз напомнить, что разгон с овервольтажами ради циферок и бездумное копирование чьих-то параметров разгона ни к чему хорошему не приведут. В первую очередь следует обращать внимание на результаты разгона в реальных задачах и подходить к разгону с головой, обращая внимание на поведение компьютера и температуры.

Источник

Dram voltage что это

Название опции:

DRAM Voltage

Возможные значения:

Зависят от типа памяти, может присутствовать значение Auto

Описание:

Позволяет вручную указать напряжение питания модулей памяти. Для модулей SDRAM нормальным считается напряжение в 3.3 В, для DDR SDRAM — 2.5 В (хотя многие производители материнских плат рекомендуют 2.6 В), для DDR2 SDRAM — 1.8 В и для DDR3 SDRAM — 1.5 В.

Установка завышенного напряжения питания обычно практикуется при разгоне — данная мера позволяет достичь более высоких частот работы памяти, одновременно сохраняя приемлемыми задержки при обращении к ней. Если вы не занимаетесь оверклокингом, лучше оставить штатное напряжение питания модулей памяти.

Не рекомендуется увеличивать напряжение питания модулей памяти более чем на 0.2 В относительно штатного значения (особенно для обычной памяти, не адресованной оверклокерам), иначе велика вероятность выхода модулей из строя. Не забывайте про достаточное охлаждение (дополнительные корпусные вентиляторы) при разгоне модулей памяти — увеличение напряжения питания заметно повышает их тепловыделение.

Другие идентичные по назначению параметры: Adjust Extra DIMM Voltage, DDR SDRAM Voltage, Memory Voltage Regulator, VDIMM Voltage.

Опция DRAM Voltage (Напряжение модулей оперативной памяти) позволяет пользователю вручную установить величину одного из основных рабочих параметров модулей оперативной памяти. Значение напряжения в данной опции указывается в вольтах. В опции нередко можно встретить также вариант Auto, Normal или Default, который позволяет установить значение параметра по умолчанию. Также опция может носить и другие названия, например, Memory Voltage.

Принцип работы

Обычно модули оперативной памяти питаются током, имеющим определенное стандартное напряжение, величина которого зависит от типа и технологии изготовления модулей. Например, модули SDRAM в обычных условиях должны питаться током в 3,3 В, модули DDR – 2,5 В, модули DDR2 – 1,8 В, а модули DDR3 – 1,5 В. В последние годы были разработаны стандарты с еще более низким напряжением – DDR3L и DDR3U. Для модулей памяти, соответствующих первой спецификации, данная величина составляет 1,35 В, а для соответствующих второй – 1,25 В. Таким образом, хорошо заметна тенденция к уменьшению питающего напряжения в зависимости от усовершенствования технологии изготовления модулей памяти. Причину подобного явления легко понять, если учитывать, что снижение напряжения микросхем памяти позволяет уменьшить энергопотребление и тепловыделение памяти.

Хотя в большинстве случаев BIOS автоматически устанавливает нужное напряжение модулей, тем не менее, во многих BIOS пользователю может быть предоставлена возможность изменить значение данного параметра самостоятельно. Для этого и предназначена опция BIOS DRAM Voltage или Memory Voltage.

Какие же цели может преследовать увеличение штатного значения напряжения модулей памяти? Прежде всего, данная операция может применяться в ходе мероприятий по разгону аппаратных компонентов компьютера. Повышенное напряжение стабилизирует работу памяти при повышении частоты шины памяти, при этом обеспечивая приемлемые значения таймингов (задержек выполнения стандартных операций).

Способы выбора вариантов в опции могут варьироваться в зависимости от разновидности BIOS. Часто в опции пользователю предоставляется возможность повысить напряжение на небольшую величину (обычно до 0,3 В) с определенным шагом, например, в 0,1 В. Иногда пользователь может выбрать необходимое значение из списка. Также некоторые BIOS позволяют ввести необходимое число напрямую в текстовом поле. В качестве значения опции пользователь обычно может выбрать также вариант Normal или Automatic (Auto), который означает, что будет использоваться стандартное напряжение для той разновидности памяти, которую поддерживает материнская плата.

Обычно опцию DRAM Voltage можно найти в разделе BIOS, посвященном тонким настройкам производительности системы, где располагаются также такие параметры, как частоты процессора и памяти, напряжения процессора и элементов чипсета. Например, в BIOS от Award данный раздел может называться Motherboard Intelligent Tweaker, а в BIOS от American Megatrends – AI Tweaker.

Следует иметь в виду, что далеко не все материнские платы персональных компьютеров позволяют пользователю менять рабочее напряжение оперативной памяти. Однако это не всегда означает, что в BIOS подобных материнских плат отсутствует данная опция. В некоторых разновидностях опции она имеет лишь информационное значение, показывающее пользователю реальное текущее значение напряжения. Располагаются опции подобного рода в разделе BIOS, посвященном мониторингу параметров аппаратных компонентов персонального компьютера.

Какое значение опции выбрать?

Если вы не занимаетесь разгоном оперативной памяти компьютера, то лучше всего оставить значение по умолчанию, подходящее для вашего типа памяти, поскольку оно гарантирует бесперебойное функционирование аппаратной части компьютера. В противном случае вы можете установить самостоятельно необходимое вам значение. При этом следует помнить, что чрезмерное повышение напряжения модулей памяти, особенно тех, которые специально не предназначены для разгона, может привести к выходу модулей из строя. Кроме того, повышенное напряжение обычно приводит к перегреву модулей, а это, в свою очередь, потребует от вас позаботиться о дополнительном охлаждении системного блока.

Приветствую. Разгонять процессор/оперативку нужно грамотно: осторожно повышать напряжение, следить за температурой, уметь тестировать систему LinX, мониторить показатели AIDA64.

Немаловажно знать значение многих параметров в биосе для максимально эффективного и безопасного разгона.

CPU PLL Voltage — что это такое?

Напряжение питания системы Phase Locked Loop (PLL) или по-русски система фазовой авто-подстройки частоты (ФАПЧ), которая необходима только для повышения стабильности работы разогнанных процессоров. Незначительное повышение значения может улучшить стабильность разгона, иногда — ухудшить. В большинстве случаев — достаточно минимальной напруги либо авторежим. Хотя некоторые задирают напругу, один юзер аж до 1.95v выставил.. как понимаете — на свой страх и риск.

Параметр в биосе материнки AsRock:

На скриншоте выше значение увеличено.

DRAM Voltage — что это такое?

Указывается напряжение модулей оперативки. Обычным планкам необходимо штатных 1.5 В либо режим Auto. Данная опция также может называться DIMM Voltage, VDIMM, Memory Voltage, зависит от модели материнки.

Опция в биосе Asus:

NB Voltage Control — что это такое?

Отвечает за напряжение северного моста (чип на плате, часто охлаждается специальным радиатором). Возможные значения: Low, Middle, High, Highest (Низкое, Среднее, Высокое, Высочайшее напряжение). NB расшифровывается как North Bridge.

На заметку: шина FSB жестко привязана к NB Voltage.

Опция NB Voltage Control в биосе:

Повторюсь — диапазон значений зависит от конкретной материнской платы.

Заключение

Мы рассмотрели некоторые параметры разгона.

Помните, разгоняя железо вы теоритически уменьшаете срок службы. Поэтому: при разгоне нужен качественный блок питания (советую Seasonic, FPS), водяное охлаждение, не помешают дополнительный кулер на цепях питания процессора (мосфеты, дроссели).

Добавить комментарий Отменить ответ

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.

Источник