СОДЕРЖАНИЕ
История
Строительство
Поликристаллический кремний иногда используется в дисплеях, требующих более высоких характеристик TFT. Примеры включают небольшие дисплеи с высоким разрешением, например, в проекторах или видоискателях. Тонкопленочные транзисторы на основе аморфного кремния являются наиболее распространенными из-за их более низкой стоимости производства, тогда как тонкопленочные транзисторы на основе поликристаллического кремния более дороги и их гораздо сложнее производить.
Скрученный нематик (TN)
Планетарная коммутация (IPS)
Плоскостная коммутация была разработана Hitachi Ltd. в 1996 году для улучшения плохого угла обзора и плохой цветопередачи TN-панелей в то время. Его название происходит от основного отличия от панелей TN, что молекулы кристаллов движутся параллельно плоскости панели, а не перпендикулярно ей. Это изменение уменьшает количество рассеяния света в матрице, что придает IPS характерные широкие углы обзора и хорошую цветопередачу.
Первоначальные итерации технологии IPS характеризовались медленным временем отклика и низким коэффициентом контрастности, но более поздние версии значительно улучшили эти недостатки. Благодаря широкому углу обзора и точной цветопередаче (почти без отклонения цвета вне угла) IPS широко используется в высококачественных мониторах, предназначенных для профессиональных художников-графиков, хотя с недавним падением цены он стал заметен в массовом производстве. рынок тоже. Технология IPS была продана Panasonic компанией Hitachi.
| Имя | Ник | Год | Замечания |
|---|---|---|---|
| Горизонтальный IPS | БЕДРА | 2007 г. | Повышает контрастность за счет скручивания плоскости электрода. Также представлена дополнительная поляризационная пленка Advanced True White от NEC, которая делает белый цвет более естественным. Используется в профессиональных ЖК-экранах и ЖК-экранах для фотографий. |
| Улучшенный IPS | E-IPS | 2009 г. | Более широкая апертура для светопропускания, позволяющая использовать более дешевую подсветку с меньшим энергопотреблением. Увеличивает угол обзора по диагонали и дополнительно сокращает время отклика до 5 мс. |
| Профессиональный IPS | P-IPS | 2010 г. | Предлагает 1,07 миллиарда цветов (10-битная глубина цвета). Больше возможных ориентаций на подпиксель (1024 вместо 256) и обеспечивает лучшую истинную глубину цвета. |
| Усовершенствованный высокопроизводительный IPS | AH-IPS | 2011 г. | Повышенная точность цветопередачи, увеличенное разрешение и PPI, а также более высокая светопропускная способность для снижения энергопотребления. |
Расширенное переключение периферийного поля (AFFS)
Это ЖК-технология, полученная на основе IPS корейской компании Boe-Hydis. До 2003 года известное как переключение периферийного поля (FFS), усовершенствованное переключение периферийного поля представляет собой технологию, аналогичную IPS или S-IPS, предлагающую превосходные характеристики и цветовую гамму с высокой яркостью. Сдвиг и отклонение цвета, вызванные утечкой света, корректируются путем оптимизации гаммы белого, что также улучшает воспроизведение белого / серого. AFFS разработан Hydis Technologies Co., Ltd, Корея (официально Hyundai Electronics, LCD Task Force).
В 2004 году Hydis Technologies Co., Ltd лицензировала свой патент AFFS для японской Hitachi Displays. Hitachi использует AFFS для производства высококачественных панелей в своей линейке продуктов. В 2006 году Hydis также передала лицензию на AFFS компании Sanyo Epson Imaging Devices Corporation.
Hydis представила AFFS +, которая улучшила читаемость на открытом воздухе в 2007 году.
Многодоменное вертикальное выравнивание (MVA)
Он достиг быстрой для своего времени реакции пикселей, широких углов обзора и высокой контрастности за счет яркости и цветопередачи. Современные панели MVA могут предложить широкие углы обзора (уступающие только технологии S-IPS), хорошую глубину черного, хорошую цветопередачу и глубину, а также быстрое время отклика благодаря использованию технологий RTC ( компенсация времени отклика ). Когда панели MVA смотрят не перпендикулярно, цвета будут сдвигаться, но намного меньше, чем для панелей TN.
Узорчатое вертикальное выравнивание (PVA)
Расширенный супер просмотр (ASV)
Когда поле включено, молекулы жидкого кристалла начинают наклоняться к центру подпикселей из-за электрического поля; в результате образуется непрерывная вертушка соосности (CPA); азимутальный угол непрерывно вращается на 360 градусов, что обеспечивает отличный угол обзора. Режим ASV также называется режимом CPA.
Плоскостная коммутация (PLS)
Двухтранзисторный пиксель (DTP) TFT или сотовая технология
Индустрия дисплеев
Из-за очень высокой стоимости строительства заводов по производству TFT существует несколько крупных производителей панелей OEM для больших дисплеев. Поставщики стеклянных панелей:
| Поставщики стеклянных ЖК-панелей | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Тип панели | Компания | Замечания | основные производители телевизоров | ||
| IPS-Pro | Panasonic | Исключительно для рынка ЖК-телевизоров и известна как IPS Alpha Technology Ltd. | Panasonic, Hitachi, Toshiba | ||
| H-IPS и P-IPS | LG Дисплей | Они также производят другие типы TFT-панелей, такие как TN, для OEM-рынков, таких как мобильные, мониторные, автомобильные, портативные AV-панели и промышленные панели. | LG, Philips, BenQ | ||
| S-IPS | Hannstar | ||||
| Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | |||||
| A-MVA | AU Optronics | ||||
| S-MVA | Chi Mei Оптоэлектроника | ||||
| S-PVA | S-LCD ( совместное предприятие Samsung и Sony ) | Samsung, Sony | |||
| AFFS | Samsung | Для малых и средних специальных проектов. | |||
| ASV | Sharp Corporation | ЖК-телевизор и рынок мобильной связи | Sharp, Sony | ||
| МВА | Sharp Corporation | Исключительно для рынков ЖК-телевизоров со светодиодной подсветкой | Острый | ||
| HVA | CSOT | HVA и AMOLED | TCL | ||
Электрический интерфейс
С аналоговыми сигналами, такими как VGA, контроллер дисплея также должен выполнять высокоскоростное аналого-цифровое преобразование. С цифровыми входными сигналами, такими как DVI или HDMI, необходимо простое переупорядочение битов перед их подачей в устройство масштабирования, если входное разрешение не соответствует разрешению панели дисплея.
Безопасность
Жидкие кристаллы постоянно подвергаются испытаниям на токсичность и экотоксичность на предмет потенциальной опасности. Результат таков:
Заявления применимы к Merck KGaA, а также к ее конкурентам JNC Corporation (ранее Chisso Corporation) и DIC (ранее Dainippon Ink & Chemicals). Все три производителя согласились не выпускать на рынок какие-либо остро токсичные или мутагенные жидкие кристаллы. Они занимают более 90 процентов мирового рынка жидких кристаллов. Оставшаяся рыночная доля жидких кристаллов, производимых в основном в Китае, состоит из более старых незапатентованных веществ трех ведущих мировых производителей, которые уже прошли испытания на токсичность. В результате их также можно считать нетоксичными.
Полный отчет доступен онлайн в Merck KGaA.
Разработаны сверхбыстрые тонкопленочные транзисторы для электронных устройств будущего
Приветствуем вас на страницах блога iCover! Сегодня мы остановимся на событии, знаковом для всего мира микроэлектроники, а именно – создании тонкопленочного транзистора нового поколения, срабатывающего на порядок быстрее существующих аналогов.
Чрезвычайно тонкие прозрачные тонкопленочные транзисторы – один из ключевых компонентов жидкокристаллической TFT матрицы ЖК-дисплея. Краеугольным камнем в улучшении качественных показателей матрицы остается скорость переключения транзистора, над повышением которой работают в ведущих лабораториях мира. Корейским ученым удалось создать тонкопленочный транзистор электронных устройств будущего, срабатывающий на порядок быстрее существующих.
Тонкопленочные транзисторы – не что иное как обычные полевые транзисторы, металлические контакты и полупроводниковые каналы проводимости которых представлены тонкими пленками, толщиной в 0,01 … 0, 01 мк. Будучи нанесенными на поверхность стекла или прозрачного полимерного материала, они располагаются максимально близко к подконтрольным им ячейкам-пикселям, что позволяет обеспечить стабильное контрастное и насыщенное изображение, отсутствие “хвостов” у движущихся объектов, достаточную для комфортной работы и отдыха скорость реакции матрицы.
Подвижность перемещения носителей заряда в полупроводнике равна скорости их перемещения, измеренной в сантиметрах в секунду, где на каждый сантиметр длины прилагается один вольт напряжения. Чем меньше электрическое сопротивление материала, тем быстрее способны перемещаться заряды, а значит, тем быстрее будут переключаться единичные тонкопленочные транзисторы, из которых он состоит.
Совместные исследования, проведенные специалистами компании Samsung национального университета Кореи (Korea University) и Института передовых технологий компании Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology) предложили новый тип тонкопленочного транзистора с быстродействием на порядок превышающим этот показатель у существующих аналогов. Запуск такого транзистора в серийное производство позволит значительно увеличить быстродействие ЖК дисплеев телевизоров, смартфонов и планшетных компьютеров с активной матрицей TFT(Thin Film Transistor).
Чтобы получить транзистор с подобными техническими характеристиками ученые использовали плазму из ионов инертного газа аргона. В качестве основного компонента, используемого для создания транзистора выступил оксинитрид цинка (ZnON), полученный методом магнетронного распыления.
Соединения на базе оксида цинка, как основы при создании тонкопленочных структур с высокой скоростью перемещения зарядов уже давно в зоне особого внимания ученых. Вместе с тем, основной акцент в ходе проводимых экспериментов был размещен на допировании (введении небольшого количества примесей) материала-основы катионами различных металлов – индия, галлия, гафния, циркония и лантаноидов.
Предел скорости перемещения дырок и электронов в электрическом поле полупроводника сегодня достигает 5 до 20 см2/вольт*сек, в то время как ” … Для обеспечения высокой производительности и экономичности электронных устройств будущего требуется обеспечить подвижность носителей электрического заряда свыше 100 см2/вольт*сек …” – считает профессор Сэнгун Чон (Sanghun Jeon) из национального университета Кореи. «Подвижность носителей заряда в созданных нами цинковых транзисторах, как минимум, в десять раз превышает подвижность носителей в обычных тонкопленочных транзисторах».
Описанный результат был получен, главным образом благодаря включению в технологический цикл этапа осаждения материала из смеси аргона, кислорода (О2) и смеси азота (N2). Попеременное воздействие на цинковую “подложку” перечисленными газами при постоянном давлении азота и аргона и тщательно регулируемом в заданных пределах давлении кислорода позволило сформировать тончайшую (в 50нм) пленку. Столь высокие показатели подвижности носителей заряда в оксинитриде цинка стали возможны благодаря заполнению азотом кислородных вакансий оксидной структуры. Получить такую пленку в присутствии атмосферного кислорода, в связи с низкой взаимной активностью азота и цинка, в условиях, отличных от предложенных специалистами на сегодняшний день проблематично.
Для того, чтобы свести к минимуму влияние кислорода на протекающую реакцию и повысить прочность пленки в эксперименте была использована аргоновая плазма, которая, помимо функции “барьера” стимулировала каскады столкновений атомов и ионов. Такая искусственная стимуляция позволила перераспределить энергии химических реакций и запустить процесс создания в аморфной матрице нанокристаллов — устойчивых химических соединений между азотом, цинком и кислородом.
Полученная пленка оксинитрида цинка характеризуется стабильной и равномерной поликристаллической структурой, стойкой к активным химическим веществам и излучению. В ходе тестовых испытаний инновационный пленочный транзистор и пленочный транзистор, полученный традиционным способом были подвергнуты 30-ти дневному воздействию атмосферного воздуха. По истечении срока выяснилось, что пленка оксинитрида цинка, в отличие от традиционной, практически не потеряла своих первоначальных свойств. Измерение подвижности носителей заряда показало, что этот показатель составил 138 см2/вольт*сек, что на порядок превышает подвижность носителей в пленках, полученных традиционным способом на основе окиси цинка – галлия – индия.
Таким образом, результаты эксперимента однозначно подтвердили новый абсолютный рекорд подвижности носителей электрического заряда в тонкопленочном транзисторе на основе оксинитрида цинка ZnON.
Безусловно, несмотря на блестящие результаты эксперимента, подтвердившие эффективность рассматриваемой технологии, проведение опытов в условиях лаборатории существенно ограничили возможности исследователей, как в плане получения требуемого уровня повторяемости результатов, так и в отношении проверки потенциала катионов других металлов на предмет улучшения уже достигнутых показателей.
Подробнее с результатами работы ученых можно ознакомиться на сайте Applied Physics Letters.
Уважаемые читатели, мы всегда с удовольствием встречаем и ждем вас на страницах блога iCover! Мы готовы и дальше радовать вас своими публикациями и постараемся сделать все возможное для того, чтобы проведенное с нами время доставило удовольствие и вам. И, конечно, не забывайте подписываться на наши рубрики и мы обещаем — скучно не будет!
Тонкоплёночный транзистор
Изобретение датируется 1959 годом.
Связанные понятия
100 000), малой коэрцитивной силой, почти нулевой магнитострикцией и значительным магниторезистивным эффектом. Благодаря низкой магнитострикции сплав применяется в прецизионных магнито-механических устройствах и других устройствах.
Приведённые ниже таблицы являются списками типоразмеров гальванических элементов, аккумуляторов и батарей, которые применяются в бытовой электронной аппаратуре. Обратите внимание, что существуют и другие типоразмеры, не указанные в таблице, но они отсутствуют в свободной продаже вследствие прекращения выпуска или смены технического назначения. Например, не перечислены батареи для ламповой радиоаппаратуры. Также стоит обратить внимание на различие понятий «батарея» и «элемент питания». Вообще, батарея.
Мáтричный индикáтор — разновидность знакосинтезирующего индикатора, в котором элементы индикации сгруппированы по строкам и столбцам. Матричный индикатор предназначен для отображения символов, специальных знаков и графических изображений в различных устройствах.
Электрóнный индикáтор (лат. indicator — указатель) — это электронное показывающее устройство, предназначенное для визуального контроля за событиями, процессами и сигналами.
Газоразрядный экран (также широко применяется калька с английского «плазменная панель») — устройство отображения информации, монитор, основанный на явлении свечения люминофора под воздействием ультрафиолетовых лучей, возникающих при электрическом разряде в ионизированном газе, иначе говоря — в плазме. (См. также: SED).
Тонкоплёночный транзистор
Тонкоплёночный транзистор (TFT, англ. thin-film transistor ) — разновидность полевого транзистора, при которой как металлические контакты, так и полупроводниковый канал проводимости изготавливаются в виде тонких плёнок (от 1/10 до 1/100 микрона).
Изобретение датируется 1959 годом.
Дисплеи TFT
Тонкоплёночные транзисторы применяются в нескольких типах дисплеев.
Например, во многих ЖК-дисплеях используются TFT как элементы управления активной матрицей на жидких кристаллах. Однако сами тонкоплёночные транзисторы, как правило, не являются достаточно прозрачными.
В последнее время TFT стали применяться во многих OLED-дисплеях как элементы управления активной матрицей на органических светодиодах (AMOLED).
Внешние ссылки
Полезное
Смотреть что такое «Тонкоплёночный транзистор» в других словарях:
тонкоплёночный транзистор — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN thin film transistor … Справочник технического переводчика
тонкоплёночный транзистор — plonasluoksnis tranzistorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. thin film transistor; thin layer transistor vok. Dünnschichttransistor, m rus. тонкоплёночный транзистор, m pranc. transistor à couches minces, m … Fizikos terminų žodynas
высоковольтный тонкоплёночный транзистор — plonasluoksnis aukštosios įtampos tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high voltage thin film transistor vok. Hochspannungsdünnschichttransistor, m rus. высоковольтный тонкоплёночный транзистор, m pranc. transistor… … Radioelektronikos terminų žodynas
тонкоплёночный полевой транзистор — plonasluoksnis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. thin film FET; thin film field effect transistor vok. Dünnschicht Feldeffekttransistor, m; Dünnschicht FET, m rus. тонкоплёночный полевой транзистор, m pranc … Radioelektronikos terminų žodynas
Баллистический транзистор — Баллистические транзисторы собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей много больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать… … Википедия
TFT — Тонкоплёночный транзистор (TFT, англ. thin film transistor) разновидность полевого транзистора, при которой как металлические контакты, так и полупроводниковый канал проводимости изготавливаются в виде тонких плёнок (от 1/10 до 1/100 микрона).… … Википедия
Хронология изобретений человечества — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей … Википедия
Жидкокристаллический дисплей — Часы с ЖК дисплеем … Википедия
ЖК-монитор — Жидкокристаллический монитор (также Жидкокристаллический дисплей, ЖКД, ЖК монитор, англ. liquid crystal display, LCD, плоский индикатор) плоский монитор на основе жидких кристаллов. LCD TFT (англ. TFT thin film transistor тонкоплёночный… … Википедия
Содержание
Производство
Тонкопленочные транзисторы могут быть изготовлены с использованием самых разных полупроводниковых материалов. Обычный материал кремний. Характеристики тонкопленочного транзистора на основе кремния зависят от его кристаллический государственный; то есть полупроводниковый слой может быть либо аморфный кремний, [2] микрокристаллический кремний, [2] или это может быть отожженный в поликремний.
Другие материалы, которые использовались в качестве полупроводников в TFT, включают: составные полупроводники такие как селенид кадмия, [3] [4] или оксиды металлов, такие как оксид цинка [5] или оксид гафния. Применение оксида гафния в качестве диэлектрик с высоким κ. [6] TFT также были сделаны с использованием органических материалов, называемых органические полевые транзисторы или ОТФТ.
Используя прозрачные полупроводники и прозрачные электроды, такие как оксид индия и олова (ITO) некоторые устройства TFT можно сделать полностью прозрачными. Такие прозрачные TFT (TTFT) можно использовать для построения панелей видеодисплея. Поскольку обычные подложки не выдерживают высоких температур отжига, процесс осаждения должен завершаться при относительно низких температурах. Химическое осаждение из паровой фазы и физическое осаждение из паровой фазы (обычно распыление) применяются. Первые TTFT, обработанные решением, на основе оксид цинка, о которых сообщили в 2003 г. исследователи Государственный университет Орегона. [5] Португальская лаборатория CENIMAT на Universidade Nova de Lisboa выпустила первый в мире полностью прозрачный TFT-экран при комнатной температуре. [7] CENIMAT также разработал первый бумажный транзистор, [8] что может привести к появлению таких приложений, как журналы и страницы журналов с движущимися изображениями.
Во время производства тонкопленочные транзисторы ремонтируются с использованием лазеров, дозаторов чернил и химического осаждения из паровой фазы (CVD). [9]
Приложения
AMOLED дисплеи также содержат слой TFT для активная матрица пиксельная адресация отдельных органические светодиоды.
Наиболее выгодным аспектом технологии TFT является использование отдельного транзистора для каждого пикселя на дисплее. Поскольку каждый транзистор небольшой, количество заряда, необходимого для управления им, также невелико. Это позволяет очень быстро перерисовывать изображение.
Структура матрицы TFT-дисплея
Это изображение не включает фактический источник света (обычно люминесцентные лампы с холодным катодом или белые светодиоды), просто матрица TFT-дисплея.
История
В феврале 1957 г. Джон Уоллмарк из RCA подала патент на тонкопленочный МОП-транзистор, в котором моноксид германия использовался в качестве диэлектрика затвора. Пол К. Веймер, а также RCA воплотил идеи Wallmark и разработал тонкая пленка транзистор (TFT) в 1962 году, тип полевого МОП-транзистора, отличный от стандартного полевого МОП-транзистора. Это было сделано из тонких пленок селенид кадмия и селенид кадмия. В 1966 году Т. Броуди и Х. Куниг в Westinghouse Electric сфабрикованный арсенид индия (InAs) МОП-транзисторы в обоих режимы истощения и улучшения. [11] [12] [13] [14] [1] [15] [16]
Идея TFT на основе жидкокристаллический экран (ЖК-дисплей) был разработан Бернард Дж. Лехнер из RCA лаборатории в 1968 г. [17] Лехнер, Ф.Дж. Марлоу, Э.О. Нестер и Дж. Талтс продемонстрировали концепцию в 1968 году с матрицей 18×2. динамическое рассеяние ЖК-дисплей, в котором использовались стандартные дискретные полевые МОП-транзисторы, поскольку в то время производительность TFT была недостаточной. [18] В 1973 г. Т. Питер Броуди, Дж. А. Асарс и Г. Д. Диксон в Исследовательские лаборатории Westinghouse разработал CdSe (селенид кадмия) TFT, который они использовали для демонстрации первого CdSe жидкокристаллический дисплей на тонкопленочных транзисторах (ЖК-экран TFT). [14] [19] Группа Westinghouse также сообщила об операционном TFT электролюминесценция (EL) в 1973 году с использованием CdSe. [20] Броуди и Фанг-Чен Луо продемонстрировали первую квартиру жидкокристаллический дисплей с активной матрицей (AM LCD) с использованием CdSe в 1974 году, а затем Броуди ввел термин «активная матрица» в 1975 году. [17] Однако массовое производство этого устройства так и не было реализовано из-за сложностей в управлении свойствами композитного полупроводникового тонкопленочного материала и надежности устройства на больших площадях. [14]
Прорыв в исследованиях TFT произошел с разработкой аморфный кремний (a-Si) TFT от P.G. Ле Комбер, W.E. Спир и А. Гейт в Университет Данди в 1979 году. Они сообщили о первом функциональном TFT, сделанном из гидрированного a-Si с нитрид кремния Ворота диэлектрик слой. [14] [21] Вскоре было признано, что a-Si TFT больше подходит для ЖК-дисплея AM большой площади. [14] Это привело к коммерческому исследования и разработки (R&D) ЖК-панелей AM на основе a-Si TFT в Японии. [22]
К 1982 г. карман ЖК телевизоры основанные на технологии AM LCD были разработаны в Японии. [23] В 1982 г. FujitsuС. Каваи сфабрикованный а-си матричный дисплей, и CanonЯ. Окубо сфабриковал а-си скрученный нематик (TN) и гость ЖК-панели. В 1983 г. ToshibaK. Suzuki произвела матрицу a-Si TFT, совместимую с CMOS интегральные схемы (ИС), М. Сугата из Canon изготовил a-Si цветной ЖК-дисплей панель и стык Саньо и Санрицу команда, в которую входили Мицухиро Ямасаки, С. Сухибучи и Ю. Сасаки, сфабриковала 3 дюйма Цветной ЖК-телевизор a-SI. [22]
Первым коммерческим ЖК-дисплеем AM на основе TFT был 2,1-дюймовый Epson ET-10 [20] (Epson Elf), первый карманный цветной ЖК-телевизор, выпущенный в 1984 году. [24] В 1986 г. Hitachi исследовательская группа под руководством Акио Мимуры продемонстрировала низкотемпературный поликристаллический кремний (LTPS) процесс изготовления n-канал TFT на кремний на изоляторе (SOI), при относительно низкой температуре 200° C. [25] А Хосиден Исследовательская группа под руководством Т. Суната в 1986 году использовала тонкопленочные транзисторы a-Si для разработки 7-дюймовой цветной ЖК-панели AM. [26] и 9-дюймовая ЖК-панель AM. [27] В конце 1980-х годов компания Hosiden поставляла монохромные ЖК-панели TFT для Компьютеры Apple. [14] В 1988 г. Sharp Исследовательская группа под руководством инженера Т. Нагаясу использовала гидрированные тонкопленочные транзисторы на основе a-Si для демонстрации 14-дюймового полноцветного ЖК-дисплея [17] [28] что убедило электронная промышленность этот ЖК-дисплей в конечном итоге заменит электронно-лучевая трубка (CRT) в качестве стандарта телевидение технология отображения. [17] В том же году Sharp выпустила ЖК-панели TFT для ноутбуки. [20] В 1992 году Toshiba и IBM Япония представила 12,1-дюймовый цветной SVGA панель для первого коммерческого цвета ноутбук к IBM. [20]
TFT также могут быть изготовлены из оксида индия, галлия, цинка (IGZO) TFT-LCD с транзисторами IGZO впервые появились в 2012 году и были впервые произведены Sharp Corporation. IGZO обеспечивает более высокую частоту обновления и более низкое энергопотребление. [29] [30]
